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图五不同界面构型的能带结构，项目以及氮化硼的p-bands图六化学吸附界面与物理吸附界面隧穿特性的不同小结1.目前氮化硼的生长方法是化学气相沉积法（CVD），项目这种方法使得氮化硼两边界面的接触类型不一致。

本文研究了各种物理吸附以及化学吸附的界面（图三），入选分析出了界面对于肖特基势垒、入选费米钉扎的影响（图四），颠覆了费米钉扎强度只是半导体本征性质这一认知。山东省级1987年江雷从吉林大学固体物理专业毕业后留在本校化学系物理化学专业就读硕士。

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